Infineon Technologies 配給業者 www.qycomp.com IPG20N10S4L35ATMA1
製造業者識別番号IPG20N10S4L35ATMA1
メーカーInfineon Technologies
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
利用可能な数量145320 Pieces
単価メールで見積もり ([email protected])
説明MOSFET 2N-CH 8TDSON
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
湿気感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
生産状況(ライフサイクル)In Production
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード IPG20N10S4L35ATMA1.pdf

製品の属性

部品番号 IPG20N10S4L35ATMA1
メーカーリードタイム 6-8 weeks
調子 New & Unused, Original Sealed
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 20A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 35 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.1V @ 16µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 17.4nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1105pF @ 25V
電力 - 最大 43W
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8-4
重量 0.001 KG
応用 Email for details
交換部品 IPG20N10S4L35ATMA1

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