Infineon Technologies Distributore www.qycomp.com IPN60R2K1CEATMA1
Numero di parte del produttoreIPN60R2K1CEATMA1
fabbricanteInfineon Technologies
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile116060 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET NCH 600V 3.7A SOT223
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati IPN60R2K1CEATMA1.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte IPN60R2K1CEATMA1
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 60µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.7nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 100V
Caratteristica FET Super Junction
Dissipazione di potenza (max) 5W (Tc)
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT223
Pacchetto / caso SOT-223-3
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio IPN60R2K1CEATMA1

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