| Numero di parte del produttore | IRFD123PBF |
|---|---|
| fabbricante | Vishay Siliconix |
| Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Quantità disponibile | 16630 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | IRFD123PBF.pdf |
| Numero di parte | IRFD123PBF |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.3A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 780mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.3W (Ta) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Pacchetto / caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | IRFD123PBF |
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