Infineon Technologies Distributore www.qycomp.com IRFH6200TR2PBF
Numero di parte del produttoreIRFH6200TR2PBF
fabbricanteInfineon Technologies
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile35570 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati IRFH6200TR2PBF.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte IRFH6200TR2PBF
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 49A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.95 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 230nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10890pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.6W (Ta), 156W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PQFN (5x6)
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio IRFH6200TR2PBF

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