| Numero di parte del produttore | IRG7CH50K10EF |
|---|---|
| fabbricante | Infineon Technologies |
| Categoria di prodotto | Transistor - IGBT - Singoli |
| Quantità disponibile | 74030 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | IGBT CHIP WAFER |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | IRG7CH50K10EF.pdf |
| Numero di parte | IRG7CH50K10EF |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 35A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 25A |
| Potenza - Max | - |
| Cambiare energia | - |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 170nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 50ns/280ns |
| Condizione di test | 600V, 35A, 10 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | IRG7CH50K10EF |
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