Infineon Technologies Distributore www.qycomp.com IRG8CH50K10F
Numero di parte del produttoreIRG8CH50K10F
fabbricanteInfineon Technologies
Categoria di prodottoTransistor - IGBT - Singoli
Quantità disponibile28820 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneIGBT CHIP WAFER
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati IRG8CH50K10F.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte IRG8CH50K10F
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo IGBT -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 50A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
Potenza - Max -
Cambiare energia -
Tipo di input Standard
Carica del cancello 245nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 60ns/285ns
Condizione di test 600V, 50A, 5 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso Die
Pacchetto dispositivo fornitore Die
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio IRG8CH50K10F

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