IXYS Distributore www.qycomp.com IXTD4N80P-3J
Numero di parte del produttoreIXTD4N80P-3J
fabbricanteIXYS
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile91490 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 800
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati IXTD4N80P-3J.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte IXTD4N80P-3J
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Last Time Buy
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.2nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore Die
Pacchetto / caso Die
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio IXTD4N80P-3J

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