| Numero di parte del produttore | KBP106G C2 |
|---|---|
| fabbricante | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Categoria di prodotto | Diodi - Raddrizzatori a ponte |
| Quantità disponibile | 123140 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | BRIDGE DIODE 1A 800V GPP KBP |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | KBP106G C2.pdf |
| Numero di parte | KBP106G C2 |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo diodo | Single Phase |
| Tecnologia | Standard |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 1A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | 4-SIP, KBP |
| Pacchetto dispositivo fornitore | KBP |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | KBP106G C2 |
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