Numero di parte del produttore | MCMN2012-TP |
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fabbricante | Micro Commercial Co |
Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
Quantità disponibile | 99730 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | MOSFET N-CH 20V 12A DFN202 |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | MCMN2012-TP.pdf |
Numero di parte | MCMN2012-TP |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 9.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 4V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN2020-6J |
Pacchetto / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | MCMN2012-TP |
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