IXYS Distributore www.qycomp.com MKI50-12F7
Numero di parte del produttoreMKI50-12F7
fabbricanteIXYS
Categoria di prodottoTransistor - IGBT - Moduli
Quantità disponibile25790 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOD IGBT H-BRIDGE 1200V 65A E2
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati MKI50-12F7.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte MKI50-12F7
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo IGBT NPT
Configurazione Full Bridge Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 65A
Potenza - Max 350W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.8V @ 15V, 50A
Corrente - Limite del collettore (max) 700µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 3.3nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso E2
Pacchetto dispositivo fornitore E2
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio MKI50-12F7

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