Micron Technology Inc. Distributore www.qycomp.com MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR
Numero di parte del produttoreMT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR
fabbricanteMicron Technology Inc.
Categoria di prodottoMemoria
Quantità disponibile141840 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneIC FLASH 6T PARALLEL 333MHZ
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo di memoria Non-Volatile
Formato di memoria FLASH
Tecnologia FLASH - NAND
Dimensione della memoria 6Tb (768G x 8)
Frequenza di clock 333MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina -
Tempo di accesso -
Interfaccia di memoria Parallel
Tensione - Fornitura 2.5 V ~ 3.6 V
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio -
Pacchetto / caso -
Pacchetto dispositivo fornitore -
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR

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Micron Technology Inc. Distributore

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