ON Semiconductor Distributore www.qycomp.com NDDL01N60Z-1G
Numero di parte del produttoreNDDL01N60Z-1G
fabbricanteON Semiconductor
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile93510 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 600V 0.8A IPAK
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati NDDL01N60Z-1G.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte NDDL01N60Z-1G
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 800mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.9nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 92pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 26W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore IPAK (TO-251)
Pacchetto / caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
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