Renesas Electronics America Distributore www.qycomp.com NP23N06YDG-E1-AY
Numero di parte del produttoreNP23N06YDG-E1-AY
fabbricanteRenesas Electronics America
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile131750 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 60V 23A 8HSON
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati NP23N06YDG-E1-AY.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte NP23N06YDG-E1-AY
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta), 60W (Tc)
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-HSON
Pacchetto / caso 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio NP23N06YDG-E1-AY

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