Renesas Electronics America Distributore www.qycomp.com NP50P06KDG-E1-AY
Numero di parte del produttoreNP50P06KDG-E1-AY
fabbricanteRenesas Electronics America
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile33560 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET P-CH 60V 50A TO-263
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati NP50P06KDG-E1-AY.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte NP50P06KDG-E1-AY
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5000pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta), 90W (Tc)
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-263
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio NP50P06KDG-E1-AY

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