ON Semiconductor Distributore www.qycomp.com NTMFS4H013NFT3G
Numero di parte del produttoreNTMFS4H013NFT3G
fabbricanteON Semiconductor
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile25040 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 25V 35A SO8FL
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati NTMFS4H013NFT3G.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte NTMFS4H013NFT3G
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 43A (Ta), 269A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3923pF @ 12V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.7W (Ta), 104W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio NTMFS4H013NFT3G

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