Nexperia USA Inc. Distributore www.qycomp.com PMPB215ENEA/FX
Numero di parte del produttorePMPB215ENEA/FX
fabbricanteNexperia USA Inc.
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile80640 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN2020MD
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati PMPB215ENEA/FX.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte PMPB215ENEA/FX
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 215pF @ 40V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 6-DFN2020MD (2x2)
Pacchetto / caso 6-UDFN Exposed Pad
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio PMPB215ENEA/FX

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