| Numero di parte del produttore | PMXB75UPEZ |
|---|---|
| fabbricante | Nexperia USA Inc. |
| Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Quantità disponibile | 15450 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V DFN1010D-3G |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | PMXB75UPEZ.pdf |
| Numero di parte | PMXB75UPEZ |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.9A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 608pF @ 10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 317mW (Ta), 8.33W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1010D-3 |
| Pacchetto / caso | 3-XDFN Exposed Pad |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | PMXB75UPEZ |
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