Rohm Semiconductor Distributore www.qycomp.com RCD100N19TL
Numero di parte del produttoreRCD100N19TL
fabbricanteRohm Semiconductor
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile187870 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 190V 10A CPT3
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati RCD100N19TL.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte RCD100N19TL
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 190V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 182 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 850mW (Ta), 20W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore CPT3
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio RCD100N19TL

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