Renesas Electronics America Distributore www.qycomp.com RJK60S7DPK-M0#T0
Numero di parte del produttoreRJK60S7DPK-M0#T0
fabbricanteRenesas Electronics America
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile160040 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati RJK60S7DPK-M0#T0.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte RJK60S7DPK-M0#T0
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
Vgs (massimo) +30V, -20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2300pF @ 25V
Caratteristica FET Super Junction
Dissipazione di potenza (max) 227.2W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-3PSG
Pacchetto / caso TO-3P-3, SC-65-3
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio RJK60S7DPK-M0#T0

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Renesas Electronics America Distributore

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