Renesas Electronics America Distributore www.qycomp.com RJL6012DPE-00#J3
Numero di parte del produttoreRJL6012DPE-00#J3
fabbricanteRenesas Electronics America
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile173260 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati RJL6012DPE-00#J3.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte RJL6012DPE-00#J3
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 4-LDPAK
Pacchetto / caso SC-83
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio RJL6012DPE-00#J3

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Renesas Electronics America Distributore

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