Toshiba Semiconductor and Storage Distributore www.qycomp.com RN1130MFV,L3F
Numero di parte del produttoreRN1130MFV,L3F
fabbricanteToshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodottoTransistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
Quantità disponibile159760 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneTRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati RN1130MFV,L3F.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte RN1130MFV,L3F
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 100 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione 250MHz
Potenza - Max 150mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-723
Pacchetto dispositivo fornitore VESM
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio RN1130MFV,L3F

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Toshiba Semiconductor and Storage Distributore

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