| Numero di parte del produttore | RN1901FETE85LF |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria di prodotto | Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati |
| Quantità disponibile | 189850 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | RN1901FETE85LF.pdf |
| Numero di parte | RN1901FETE85LF |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| Frequenza - Transizione | 250MHz |
| Potenza - Max | 100mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ES6 |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | RN1901FETE85LF |
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