Numero di parte del produttore | SI5915DC-T1-GE3 |
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fabbricante | Vishay Siliconix |
Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Array |
Quantità disponibile | 180920 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8 |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | SI5915DC-T1-GE3.pdf |
Numero di parte | SI5915DC-T1-GE3 |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 3.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 1.1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1206-8 ChipFET™ |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | SI5915DC-T1-GE3 |
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