Vishay Siliconix Distributore www.qycomp.com SI8812DB-T2-E1
Numero di parte del produttoreSI8812DB-T2-E1
fabbricanteVishay Siliconix
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile55660 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 20V MICROFOOT
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati SI8812DB-T2-E1.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte SI8812DB-T2-E1
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 59 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 8V
Vgs (massimo) ±5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 4-Microfoot
Pacchetto / caso 4-UFBGA
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio SI8812DB-T2-E1

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Vishay Siliconix Distributore

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