| Numero di parte del produttore | SIA850DJ-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Vishay Siliconix |
| Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Quantità disponibile | 99410 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6 |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | SIA850DJ-T1-GE3.pdf |
| Numero di parte | SIA850DJ-T1-GE3 |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 190V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 950mA (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 90pF @ 100V |
| Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.9W (Ta), 7W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Pacchetto / caso | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | SIA850DJ-T1-GE3 |
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