Vishay Siliconix Distributore www.qycomp.com SIDR668DP-T1-GE3
Numero di parte del produttoreSIDR668DP-T1-GE3
fabbricanteVishay Siliconix
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile41290 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 100V
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati SIDR668DP-T1-GE3.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte SIDR668DP-T1-GE3
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 108nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5400pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8DC
Pacchetto / caso PowerPAK® SO-8
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio SIDR668DP-T1-GE3

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