Vishay Siliconix Distributore www.qycomp.com SIRC10DP-T1-GE3
Numero di parte del produttoreSIRC10DP-T1-GE3
fabbricanteVishay Siliconix
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile21410 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati SIRC10DP-T1-GE3.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte SIRC10DP-T1-GE3
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Vgs (massimo) +20V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1873pF @ 15V
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max) 43W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8
Pacchetto / caso PowerPAK® SO-8
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio SIRC10DP-T1-GE3

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