Vishay Siliconix Distributore www.qycomp.com SIZ900DT-T1-GE3
Numero di parte del produttoreSIZ900DT-T1-GE3
fabbricanteVishay Siliconix
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Array
Quantità disponibile168770 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati SIZ900DT-T1-GE3.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte SIZ900DT-T1-GE3
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 24A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2 mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1830pF @ 15V
Potenza - Max 48W, 100W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-PowerPair™
Pacchetto dispositivo fornitore 6-PowerPair™
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio SIZ900DT-T1-GE3

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Vishay Siliconix Distributore

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