| Numero di parte del produttore | SIZF906ADT-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Vishay Siliconix |
| Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Quantità disponibile | 84180 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | MOSFET DUAL N-CHAN 30V |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | SIZF906ADT-T1-GE3.pdf |
| Numero di parte | SIZF906ADT-T1-GE3 |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V, 200nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V |
| Potenza - Max | 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PowerPair® (6x5) |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | SIZF906ADT-T1-GE3 |
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