Infineon Technologies Distributore www.qycomp.com SPP02N60S5HKSA1
Numero di parte del produttoreSPP02N60S5HKSA1
fabbricanteInfineon Technologies
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile165570 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 600V 1.8A TO-220
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati SPP02N60S5HKSA1.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte SPP02N60S5HKSA1
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 80µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 240pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 25W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-3-1
Pacchetto / caso TO-220-3
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio SPP02N60S5HKSA1

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Infineon Technologies Distributore

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