Numero di parte del produttore | SSM6J512NU,LF |
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fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
Quantità disponibile | 78420 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | SSM6J512NU,LF.pdf |
Numero di parte | SSM6J512NU,LF |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.2 mOhm @ 4A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.5nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 6V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.25W (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-UDFNB (2x2) |
Pacchetto / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | SSM6J512NU,LF |
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