| 製造業者識別番号 | SSM6J512NU,LF |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 78420 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | SSM6J512NU,LF.pdf |
| 部品番号 | SSM6J512NU,LF |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 12V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 16.2 mOhm @ 4A, 8V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 19.5nC @ 4.5V |
| Vgs（最大） | ±10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1400pF @ 6V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.25W (Ta) |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-UDFNB (2x2) |
| パッケージ/ケース | 6-WDFN Exposed Pad |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | SSM6J512NU,LF |
QY Componentsには、最高の価格があります。 SSM6J512NU,LF, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 SSM6J512NU,LF, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます SSM6J512NU,LF, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Toshiba Semiconductor and Storage 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Toshiba Semiconductor and Storage そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった DF10G5M4N,LF, DF2S30CT,L3F, DF6F6.8MTU,LF, DF10G7M1N,LF, DF2S8.2FS,L3M, DF2B7ACT,L3F, DF2S6M4CT,L3F, DF2B6USL,L3F, DF2B20M4SL,L3F, DF3D6.8MS,LF SI2306BDS-T1-GE3, NTNS3190NZT5G, BSL211SPH6327XTSA1, SI3442BDV-T1-E3, SI3443BDV-T1-E3, BSC120N03MSGATMA1, PSMN7R5-30YLDX, PMV32UP,215, BSZ105N04NSGATMA1, SIA444DJT-T1-GE3.
購入 Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J512NU,LF 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。