STMicroelectronics Distributore www.qycomp.com STI11NM60ND
Numero di parte del produttoreSTI11NM60ND
fabbricanteSTMicroelectronics
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile172760 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati STI11NM60ND.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte STI11NM60ND
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (massimo) ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 90W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore I2PAK
Pacchetto / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
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