Numero di parte del produttore | TC58NYG1S3HBAI6 |
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fabbricante | Toshiba Memory America, Inc. |
Categoria di prodotto | Memoria |
Quantità disponibile | 21880 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | TC58NYG1S3HBAI6.pdf |
Numero di parte | TC58NYG1S3HBAI6 |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
Dimensione della memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 25ns |
Tempo di accesso | 25ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7 V ~ 1.95 V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 67-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 67-VFBGA (6.5x8) |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | TC58NYG1S3HBAI6 |
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