Toshiba Semiconductor and Storage Distributore www.qycomp.com TK31E60W,S1VX
Numero di parte del produttoreTK31E60W,S1VX
fabbricanteToshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile41790 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N CH 600V 30.8A TO-220
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati TK31E60W,S1VX.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte TK31E60W,S1VX
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 88 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 300V
Caratteristica FET Super Junction
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220
Pacchetto / caso TO-220-3
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio TK31E60W,S1VX

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Toshiba Semiconductor and Storage Distributore

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