Toshiba Semiconductor and Storage Distributore www.qycomp.com TK35N65W,S1F
Numero di parte del produttoreTK35N65W,S1F
fabbricanteToshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile72890 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 650V 35A TO-247
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati TK35N65W,S1F.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte TK35N65W,S1F
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 2.1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4100pF @ 300V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 270W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247
Pacchetto / caso TO-247-3
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio TK35N65W,S1F

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Toshiba Semiconductor and Storage Distributore

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