Transphorm Distributore www.qycomp.com TPD3215M
Numero di parte del produttoreTPD3215M
fabbricanteTransphorm
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Array
Quantità disponibile13410 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneCASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati TPD3215M.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte TPD3215M
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Last Time Buy
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 30A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 100V
Potenza - Max 470W
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio TPD3215M

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Transphorm Distributore

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