Transphorm Distribuidor www.qycomp.com TPD3215M
Número da peça do fabricanteTPD3215M
FabricanteTransphorm
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Quantidade disponível13410 Pieces
Preço unitárioCotação por e-mail ([email protected])
DescriçãoCASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
Status sem chumbo / status de RoHSSem chumbo / RoHS complacente
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status de produção (ciclo de vida)In Production
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
Download da folha de dados TPD3215M.pdf

Atributos do produto

Número da peça TPD3215M
Tempo de espera do fabricante 6-8 weeks
Condição New & Unused, Original Sealed
Status da Parte Last Time Buy
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature GaNFET (Gallium Nitride)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 600V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 30A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 8V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 100V
Power - Max 470W
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso Module
Pacote de dispositivos de fornecedores Module
Peso 0.001 KG
Aplicação Email for details
Peça de reposição TPD3215M

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Transphorm Distribuidor

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