Toshiba Semiconductor and Storage Distributore www.qycomp.com TPH1110ENH,L1Q
Numero di parte del produttoreTPH1110ENH,L1Q
fabbricanteToshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile10400 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati TPH1110ENH,L1Q.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte TPH1110ENH,L1Q
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 114 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 100V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta), 42W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP Advance (5x5)
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio TPH1110ENH,L1Q

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Toshiba Semiconductor and Storage Distributore

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