Numero di parte del produttore | TPW1R306PL,L1Q |
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fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
Quantità disponibile | 136600 Pieces |
Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
Descrizione | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | TPW1R306PL,L1Q.pdf |
Numero di parte | TPW1R306PL,L1Q |
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Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
Condizione | New & Unused, Original Sealed |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 260A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.29 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8100pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 960mW (Ta), 170W (Tc) |
temperatura di esercizio | 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DSOP Advance |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Peso | 0.001 KG |
Applicazione | Email for details |
Pezzo di ricambio | TPW1R306PL,L1Q |
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