Taiwan Semiconductor Corporation Distributore www.qycomp.com TSM061NA03CV RGG
Numero di parte del produttoreTSM061NA03CV RGG
fabbricanteTaiwan Semiconductor Corporation
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile190990 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati TSM061NA03CV RGG.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte TSM061NA03CV RGG
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 66A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.1 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.3nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1136pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 44.6W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDFN (3x3)
Pacchetto / caso 8-PowerWDFN
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio TSM061NA03CV RGG

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