| Numero di parte del produttore | VS-GB100TH120N |
|---|---|
| fabbricante | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Categoria di prodotto | Transistor - IGBT - Moduli |
| Quantità disponibile | 106270 Pieces |
| Prezzo unitario | Preventivo per email ([email protected]) |
| Descrizione | IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Senza piombo / RoHS |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato di produzione (ciclo di vita) | In Production |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | VS-GB100TH120N.pdf |
| Numero di parte | VS-GB100TH120N |
|---|---|
| Tempo di consegna del produttore | 6-8 weeks |
| Condizione | New & Unused, Original Sealed |
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | Half Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200A |
| Potenza - Max | 833W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 100A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 8.58nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | No |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Double INT-A-PAK |
| Peso | 0.001 KG |
| Applicazione | Email for details |
| Pezzo di ricambio | VS-GB100TH120N |
I componenti QY hanno il prezzo migliore per VS-GB100TH120N, vendiamo solo ricambi originali.
Se vuoi comprare VS-GB100TH120N, puoi inviare una richiesta di preventivo o inviarci una e-mail, ti invieremo il preventivo entro 12 ore. Dopo la quotazione, è possibile effettuare l'ordine per VS-GB100TH120N, ti invieremo la nostra fattura e ti spediremo in qualsiasi paese.
La nostra email: [email protected]
I componenti QY sono un distributore di calze di Vishay Semiconductor Diodes Division tutte le serie Transistor - IGBT - Moduli componenti. È inoltre possibile acquistare altre parti di Vishay Semiconductor Diodes Division e Transistor - IGBT - Moduli da noi. Ad esempio MKP385362025JB02G0, MKP385362025JB02W0, BFC2373GB123MD, MKP383147063JCA2B0, MKP383147063JCM2B0, MKT1818210636, MKP1840268015, MKP1840268016, MKP1841210406, MKP1841215406 GSID300A125S5C1, FS300R12OE4BOSA1, FF600R12IE4BOSA1, FF600R12IP4BOSA1, FF900R12IP4BOSA2, FZ1600R17KE3NOSA1, IFF2400P17AE4BPSA1, IFF2400P17LE4BPSA1, APT50GF60JU2, GHIS030A120S-A2.
Acquistare Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB100TH120N con noi, risparmia tempo e denaro.