Vishay Semiconductor Diodes Division 配給業者 www.qycomp.com VS-GB100TH120N
製造業者識別番号VS-GB100TH120N
メーカーVishay Semiconductor Diodes Division
製品カテゴリトランジスタ - IGBT - モジュール
利用可能な数量106270 Pieces
単価メールで見積もり ([email protected])
説明IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス鉛フリー/ RoHS準拠
湿気感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
生産状況(ライフサイクル)In Production
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード VS-GB100TH120N.pdf

製品の属性

部品番号 VS-GB100TH120N
メーカーリードタイム 6-8 weeks
調子 New & Unused, Original Sealed
部品ステータス Active
IGBTタイプ -
構成 Half Bridge
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 1200V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 200A
電力 - 最大 833W
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 2.35V @ 15V, 100A
電流 - コレクタ遮断(最大) 5mA
入力容量(Cies)@ Vce 8.58nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Double INT-A-PAK (3 + 4)
サプライヤデバイスパッケージ Double INT-A-PAK
重量 0.001 KG
応用 Email for details
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