Diodes Incorporated Distributore www.qycomp.com ZXMN3A04DN8TA
Numero di parte del produttoreZXMN3A04DN8TA
fabbricanteDiodes Incorporated
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Array
Quantità disponibile128010 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati ZXMN3A04DN8TA.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte ZXMN3A04DN8TA
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 12.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1890pF @ 15V
Potenza - Max 1.81W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio ZXMN3A04DN8TA

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