| 製造業者識別番号 | 2SJ661-DL-1E |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 113710 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET P-CH 60V 38A |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | 2SJ661-DL-1E.pdf |
| 部品番号 | 2SJ661-DL-1E |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 38A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 39 mOhm @ 19A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | - |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 80nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4360pF @ 20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.65W (Ta), 65W (Tc) |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263-2 |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | 2SJ661-DL-1E |
QY Componentsには、最高の価格があります。 2SJ661-DL-1E, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 2SJ661-DL-1E, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます 2SJ661-DL-1E, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 ON Semiconductor 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます ON Semiconductor そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった MC33363ADWR2G, FSGM0765RWDTU, FSFR1800HS, FSFR2100XSL, MC33023DWG, MC33025DWG, NCP1249DD65R2G, NCP1380DDR2G, FSL136HR, NCP1027P065G R6015KNX, STB16N65M5, CSD19535KTT, STB85NF55LT4, IAUT150N10S5N035ATMA1, NTMFS6H818NT1G, STU2N105K5, IPL60R125P7AUMA1, TSM60N380CZ C0G, SIHU4N80E-GE3.
購入 ON Semiconductor 2SJ661-DL-1E 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。