| 製造業者識別番号 | 2SK3430-Z-E1-AZ |
|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics America |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 56620 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | 2SK3430-Z-E1-AZ.pdf |
| 部品番号 | 2SK3430-Z-E1-AZ |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Last Time Buy |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 40V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 7.3 mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | - |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 50nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2800pF @ 10V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.5W (Ta), 84W (Tc) |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | 2SK3430-Z-E1-AZ |
QY Componentsには、最高の価格があります。 2SK3430-Z-E1-AZ, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 2SK3430-Z-E1-AZ, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます 2SK3430-Z-E1-AZ, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Renesas Electronics America 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Renesas Electronics America そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった R5F212B8SDFA#V2, R5F562T6ADFM#V1, R7FS3A6783A01CFM#AA0, R7FS3A6783A01CNB#AC0, R5F562TAEDFM#V1, R5F5631MCDFL#V0, R5F212BASDFP#V2, R7FS3A6782A01CLJ#AC0, R7FS3A6783A01CFP#AA0, R5F212ACSDFA#V2 BUK7E1R9-40E,127, BBL4001-1E, IRL630SPBF, IRFP3710PBF, IRF100B201, IPT60R102G7XTMA1, FDB082N15A, IRFIBE30GPBF, IPLU300N04S4R8XTMA1, IRLB3034PBF.
購入 Renesas Electronics America 2SK3430-Z-E1-AZ 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。