製造業者識別番号 | A2G35S160-01SR3 |
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メーカー | NXP USA Inc. |
製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
利用可能な数量 | 124600 Pieces |
単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
説明 | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
湿気感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
生産状況(ライフサイクル) | In Production |
納期 | 1-2 Days |
日付コード(D / C) | New |
データシートダウンロード | A2G35S160-01SR3.pdf |
部品番号 | A2G35S160-01SR3 |
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メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
調子 | New & Unused, Original Sealed |
部品ステータス | Active |
トランジスタタイプ | LDMOS |
周波数 | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
利得 | 15.7dB |
電圧 - テスト | 48V |
電流定格 | - |
ノイズフィギュア | - |
電流 - テスト | 190mA |
電力出力 | 51dBm |
電圧 - 定格 | 125V |
パッケージ/ケース | NI-400S-2S |
サプライヤデバイスパッケージ | NI-400S-2S |
重量 | 0.001 KG |
応用 | Email for details |
交換部品 | A2G35S160-01SR3 |
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