| 製造業者識別番号 | APTM100H80FT1G |
|---|---|
| メーカー | Microsemi Corporation |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| 利用可能な数量 | 136740 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | APTM100H80FT1G.pdf |
| 部品番号 | APTM100H80FT1G |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 1000V (1kV) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 960 mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 150nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3876pF @ 25V |
| 電力 - 最大 | 208W |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | SP1 |
| サプライヤデバイスパッケージ | SP1 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | APTM100H80FT1G |
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