| Référence fabricant | APTM100H80FT1G |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi Corporation |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Matrices |
| quantité disponible | 136740 Pieces |
| Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
| La description | MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut de production (cycle de vie) | In Production |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | APTM100H80FT1G.pdf |
| Numéro d'article | APTM100H80FT1G |
|---|---|
| Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
| État | New & Unused, Original Sealed |
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET Caractéristique | Standard |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 11A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 960 mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3876pF @ 25V |
| Puissance - Max | 208W |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | SP1 |
| Package de périphérique fournisseur | SP1 |
| Poids | 0.001 KG |
| Application | Email for details |
| Pièce de rechange | APTM100H80FT1G |
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