| 製造業者識別番号 | APTM120DA56T1G |
|---|---|
| メーカー | Microsemi Corporation |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 32150 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | APTM120DA56T1G.pdf |
| 部品番号 | APTM120DA56T1G |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 1200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 18A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 672 mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5V @ 2.5mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 300nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7736pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 390W (Tc) |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | SP1 |
| パッケージ/ケース | SP1 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | APTM120DA56T1G |
QY Componentsには、最高の価格があります。 APTM120DA56T1G, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 APTM120DA56T1G, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます APTM120DA56T1G, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Microsemi Corporation 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Microsemi Corporation そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった MASMBJ70A, MASMBJ70AE3, MASMBJ75A, MASMBJ75AE3, MASMBJ78A, MASMBJ78AE3, MASMBJ8.0A, MASMBJ8.0AE3, MASMBJ8.5A, MASMBJ8.5AE3 DMG3406L-7, DMN10H700S-7, DMN62D1LFD-7, AO3423, SI2305-TP, 2N7002BKM,315, RYC002N05T316, BS170-D75Z, BS170-D27Z, PMZ320UPEYL.
購入 Microsemi Corporation APTM120DA56T1G 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。